薄膜铌酸锂强度调制器

3 条结果

薄膜铌酸锂强度调制器(集成光源)

集成了低噪声DFB激光器和高稳定性薄膜铌酸锂调制器芯片,通过高精度耦合工艺技术封装而成,实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器

薄膜铌酸锂强度调制器(无光源)

通过高精度耦合工艺技术封装而成,实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器,本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性,能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。

薄膜铌酸锂超高带宽强度调制器(无光源)

实现了最高达110GHz电光调制速率。相比于传统铌酸锂晶体调制器,本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性,能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。