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大功率低噪声半导体激光器
产品介绍
HC-HPLD-14P-Cxx系列大功率低噪声半导体激光器,采用多量子阱(MQW)、分布反馈(DFB)半导体激光器芯片,单纵模光输出。激光器内置 TEC、背光探测器、光隔离器,标准 14-Pin 蝶型气密封装。激光器可在-40℃~70℃温度范围内工作,光波长和光功率具有高度稳定性。
产品特点
最高80mW输出
ITU波长
内置TEC和背光监测
保偏输出
应用范围
射频拉远
机载电子对抗
宽带ROF光源
激光雷达
机械尺寸
订购信息
产品名称 |
产品型号 |
大功率低噪声半导体激光器 |
HC-HPLD-14P-Cxx |
备注: 可选Cxx—ITU 通道波长 |
|
C31 |
1552.52 |
C32 |
1551.72 |
C33 |
1550.92 |
C34 |
1550.12 |
C35 |
1549.32 |
C36 |
1548.51 |
产品储存要求
本产品对静电放电敏感,易受静电击穿和浪涌的损坏,在储存、使用过程中必须采取防静电措施、电路限流限压保护功能。
产品存储的环境温度范围应符合产品的存储温度范围要求。
产品应储存在相对湿度不大于 80%的通风、无腐蚀性气体影响的环境中。
产品使用说明
用手接触器件时,需全程佩戴防静电手环,手指佩戴防静电指套。
在进行器件装配时,需要将器件固定在光滑平整、散热良好的金属面上,便于器件工作过程中产生的热量及时散发出去;也可以在器件底部涂上导热硅脂,便于器件与金属表面密切接触便于散热。
将器件的引线焊接至 PCB 板时,需要严格控制焊接时间及焊接温度(参考额定最大值表),防止过高热量从电烙铁、器件引脚传导至器件内部引起器件损伤。
产品在上电时,先给热敏电阻、TEC 上电;TEC 工作稳定后再给激光器芯片、背光探测器等部件上电。
在对激光器 LD Chip 供电时,最好采用缓启动方式逐渐达到设置电流点,并设置保护电流上限。
产品在工作过程中,严禁将光纤输出的光对准人眼。
性能指标
绝对最大额定值
当工作参数超出以下额定范围时,可能会造成永久性损坏。器件在最大额定值条件下工作时各项光电参数不能保证为正常值。长时间使器件工作在最大额定值会影响器件可靠性。
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
工作环境温度 |
TA |
-55 |
70 |
℃ |
存储温度 |
TSTG |
-55 |
85 |
℃ |
存储湿度 |
HSTG |
/ |
90% |
/ |
激光器反向偏压 |
VR |
/ |
2 |
V |
激光器工作电流 |
IF |
/ |
400 |
mA |
致冷器工作电压 |
VTEC |
/ |
4.2 |
V |
致冷器工作电流 |
ITEC |
/ |
2.1 |
A |
背光探测器反向偏压 |
VRPD |
/ |
5 |
V |
引线焊接时间 |
TSLD |
/ |
10 |
s |
引线焊接温度 |
TESLD |
/ |
260 |
℃ |
ESD |
ESD |
/ |
500 |
V |
尾纤最小曲率半径 a |
R |
4 |
/ |
cm |
尾纤轴向拉力 b |
F |
/ |
1.5 |
N |
a. 至出纤管壳端面至少 3cm 以上 b. 拉力置于模块输出光纤尾端,时间 1min。 |
光电性能
序号 |
特性 |
符号 |
备注 |
参数值 |
单位 |
||
最小值 |
典型值 |
最大值 |
|||||
1 |
中心波长 |
λ |
25℃,250mA |
λ-0.4 |
ITU , λ=1550.12 |
λ+0.4 |
nm |
2 |
输出光功率 |
PO |
25℃,250mA |
/ |
16 |
19 |
dBm |
3 |
边模抑制比 |
SMSR |
/ |
/ |
45 |
55 |
dB |
4 |
光隔离度 |
ISO |
/ |
/ |
30 |
/ |
dB |
5 |
阈值电流 |
Ith |
/ |
/ |
40 |
60 |
mA |
6 |
背光探测器电流 |
IMPD |
Pout=10mW |
100 |
200 |
1000 |
μA |
7 |
热敏电阻 |
Rth |
25℃ |
9.5 |
10 |
10.5 |
kΩ |
8 |
偏振消光比 |
PER |
/ |
/ |
17 |
30 |
dB |
9 |
噪声系数 |
|
0.2GHz~18GHz |
/ |
34 |
/ |
dB |
10 |
相对强度噪声 |
|
0.2GHz~18GHz |
-160 |
-158 |
-155 |
dBc/Hz |
11 |
波长温度系数 |
|
/ |
/ |
0.1 |
0.15 |
nm/℃ |
12 |
线宽 |
- |
使用延时线长度 20km 测试 |
/ |
/ |
500 |
KHz |