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光探测器 TAP PD
分光探测器（TAP PD）内部采用高性能 InGaAs/InP PIN光电二极管封装。基于其特殊的光学设计， 产品具有高响应度， 低暗电流和可靠性高的优点。 由于其紧凑的结构和微小的体积， 易于集成在高密度的光纤通信系统中。
产品特性
结构紧凑
高响应度
暗电流低
应用场景
功率监控
光纤放大器
WDM传输系统
尺寸结构(mm)
P1:常规尺寸
P2:MINI尺寸
订购信息: HC－TapPD-A-B-C-D-E-F
|
A |
B |
C |
D |
E |
F |
|
封装尺寸 |
分光比 |
工作波长 |
光纤类型 |
光纤长度 |
连接头 |
|
N:常规Φ5.5×21 |
1:99:1 |
1310: 1310nm |
025：Ø0.25mm |
05: 0.5m |
00: None |
|
M:迷你Φ3.0×18 |
2:98:2 |
1550: 1550nm |
90：Ø0.9mm |
10: 1.0m |
FP: FC/UPC |
|
X：其它 |
3:97:3 |
X：其它 |
X：其它 |
15: 1.5m |
FA: FC/APC |
|
|
5:95:5 |
|
|
X: 其它 |
SP: SC/UPC |
|
|
X：其它 |
|
|
|
SA: SC/APC |
|
|
|
|
|
|
LP: LC/UPC |
|
|
|
|
|
|
LA: LC/APC |
|
|
|
|
|
|
X: 其它 |
|
参数 |
符号 |
单位 |
参数值 |
注意事项 |
||
|
工作波长Operating wavelength |
λ |
nm |
1260 |
|
1620 |
|
|
分光比TAP Ratio |
|
% |
1 |
2 |
5 |
另有其它比例 |
|
响应度Responsivty |
R |
mA/W |
8~12 |
16~24 |
40~60 |
对应响应度 |
|
结电容 |
|
pF |
0.4 |
|
0.6 |
|
|
反射损耗 |
RIL |
dB |
0.3 |
0.35 |
0.5 |
对应损耗 |
|
温度特性TDL |
T |
dB/℃ |
|
|
0.1 |
|
|
偏振相关损耗PDL |
|
dB |
|
|
0.1 |
|
|
暗电流Dark Current |
Id |
nA |
|
|
1 |
|
|
回损Return Loss |
RL |
dB |
-40 |
- |
-50 |
|
存储和工作条件
|
参数Parameter |
符号Symbol |
最小值Min. |
最大值Max. |
单位Unit |
|
存储温度Storage Temperature |
Tstg |
-40 |
85 |
℃ |
|
工作温度Operating Temperature |
Topr |
0 |
70 |
℃ |
|
焊接温度/时间Lead Soldering (Temperature)/(Time) |
--- |
--- |
260/10 |
℃/Sec |
