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产品名称：薄膜铌酸锂相位调制器
产品介绍
薄膜铌酸锂相位调制器是一种高性能电光转换器件，由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
产品特点
射频宽带高达40 GHz
半波电压低至3 V
插入损耗低至 4.5 dB
小器件尺寸
技术参数
类别 | 参数 | 符号 | 单位 | 指标 | |
光学性能(@25°C) | 工作波长(*) | λ | nm | ~1550 | |
光学回损 | ORL | dB | ≤ -27 | ||
光学插损(*) | IL | dB | 最大值：5.5 典型值：4.5 | ||
电学性能 (@25°C) | 3 dB 电光带宽 (2 GHz起) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
最小值：18 典型值：20 | 最小值：36 典型值：40 | ||||
射频半波电压 (@ 50 kHz) | Vπ | V | 最大值：3.5 典型值：3.0 | ||
射频回损 (2 GHz至40 GHz) | S11 | dB | ≤ -10 | ||
工作条件 | 工作温度 | TO | °C | -20~70 | |
1、可定制。
损伤阈值
参数 | 符号 | 可选 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
射频输入功率 | Sin | X2: 4 | - | 18 | dBm |
X2: 5 | - | 29 | |||
射频输入摆幅电压 | Vpp | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
射频输入均方根电压 | Vrms | X2: 4 | - | 1.78 | V |
X2: 5 | - | 6.30 | |||
光输入功率 | Pin | - | - | 20 | dBm |
保存温度 | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
相对湿度（无凝露） | RH | - | 5 | 90 | % |
注：若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤，此类器件损伤不在维保服务范围。
管脚定义
| 符号 | 描述 |
1 | - | 无定义 |
2 | - | 无定义 |
3 | - | 无定义 |
4 | - | 无定义 |
5 | - | 无定义 |
6 | - | 无定义 |
7 | - | 无定义 |
RF | RF连接器 (*) | 2.92 mm K连接器 |
In | 入光光纤 | FC/APC, PMF |
Out | 出光光纤 | FC/APC, PMF |
1、可定制1.85 mm连接器或J连接器。
机械尺寸（单位：mm）
注：带REF.标记的数据仅为参考值。
S21 测试样图 (40 GHz 典型值)
订购信息 HC - LB-X1C6PPBP6X2
可选项 | 描述 | 选项编号 |
X1 | 3 dB 电光带宽 | 2 或 4 |
X2 | 射频输入功率最大值 | 4 或 5 |
产品描述：20 GHz/40 GHz薄膜铌酸锂相位调制器。
