薄膜铌酸锂强度调制器（无光源） - 功率管理

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产品名称：薄膜铌酸锂强度调制器（无光源）

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产品详情

产品介绍

薄膜铌酸锂强度调制器是一种高性能电光转换器件，由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。

产品特点

射频带宽高达 40 GHz

低半波电压

插入损耗低至 4.5 dB

小器件尺寸

技术参数-C波段

类别	参数	符号	单位	指标
光学性能 (@25°C)	工作波长(*)	λ	nm	X₂：C
				~1550
	光学消光比 (@ DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	光学回损	ORL	dB	≤ -27
	光学插损	IL	dB	最大值: 5.5 典型值: 4.5
电学性能 (@25°C)	3 dB 电光带宽 (2 GHz 起)	S₂₁	GHz	X₁: 2	X₁: 4
				最小值: 18 典型值: 20	最小值: 36 典型值: 40
	射频半波电压 (@ 50 kHz)	V_π	V	X₃：5	X₃：6
				最大值: 3.0 典型值: 2.5	最大值: 3.5 典型值: 3.0
	热调偏置半波功率	P_π	mW	≤ 50
	射频回损 (2 GHz 至 40 GHz)	S₁₁	dB	≤ -10
工作条件	工作温度 (*)	T_O	°C	-20~70

1、可定制。

2、高消光比 (> 25 dB) 可定制。

技术参数-O波段

类别	参数	符号	单位	指标
光学性能 (@25°C)	工作波长 (*)	λ	nm	X₂：O
				~1310
	光学消光比 (@ DC) (**)	ER	dB	≥ 20
	光学回损	ORL	dB	≤ -27
	光学插损	IL	dB	最大值: 5.5 典型值: 4.5
电学性能 (@25°C)	3 dB 电光带宽 (2 GHz起)	S₂₁	GHz	X₁: 2	X₁: 4
				最小值: 18 典型值: 20	最小值: 36 典型值: 40
	射频半波电压 (@ 50 kHz)	V_π	V	X₃：4
				最大值: 2.5 典型值: 2.0
	热调偏置半波功率	P_π	mW	≤ 50
	射频回损 (2 GHz至40 GHz)	S₁₁	dB	≤ -10
工作条件	工作温度 (*)	T_O	°C	-20~70

1、可定制。

2、高消光比 (> 25 dB) 可定制。

损伤阈值

参数	符号	最小值	最大值	单位
射频输入功率	Sin	-	18	dBm
射频输入摆幅电压	Vpp	-2.5	+2.5	V
射频输入均方根电压	Vrms	-	1.78	V
光输入功率	Pin	-	20	dBm
热调偏置电压	Uheater	-	4.5	V
热调偏置电流	Iheater	-	50	mA
保存温度	TS	-40	85	℃
相对湿度 (无凝露)	RH	5	90	%

注：若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤，此类器件损伤不在维保服务范围。

管脚定义

引脚	符号	描述
1	MPD0+	调制器入光监控PD阳极
2	MPD0-	调制器入光监控PD阴极
3	Heater	热调偏置电极
4	Heater	热调偏置电极
5	MPD1+	调制器出光监控PD阳极
6	MPD1-	调制器出光监控PD阴极
7	-	无定义
RF	RF 连接器 (*)	2.92 mm K连接器
In	入光光纤	FC/APC, PMF
Out	出光光纤	FC/APC, PMF

注：可定制1.85 mm 连接器或J连接器。

机械尺寸（单位：mm）

注：带REF.标记的数据仅为参考值。

S21 & S11 测试样图 (40 GHz 典型值)

订购信息 HC - LB-X₁X₂6PPBMX₃1

可选项	描述	选项编号
X₁	3 dB电光带宽	2 或 4
X₂	工作波长	O 或 C
X₃	射频半波电压	C 波段：5 或 6	O 波段：4

产品描述：20 GHz/40 GHz薄膜铌酸锂强度调制器。

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