English产品目录
产品名称：薄膜铌酸锂强度调制器（集成光源）
产品介绍
薄膜铌酸锂强度调制器（集成光源）是一种高性能高集成度的电光转换器件，由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品集成了低噪声DFB激光器和高稳定性薄膜铌酸锂调制器芯片，通过高精度耦合工艺技术封装而成，实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器，本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性，能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
产品特点
集成低RIN激光源
射频宽带高达40 GHz
半波电压低至3.0 V
调制器全开输出光功率可达12 dBm
高集成度、小器件尺寸
技术参数
类别 | 参数 | 符号 | 单位 | 指标 | |
光学性能 | 工作波长 (@TEC 25 °C, LD 350 mA) | λ | nm | 1550 ± 2 | |
光学消光比 (@ DC) (*) | ER | dB | ≥ 20 | ||
光学回损 | ORL | dB | ≤ -27 | ||
调制器全开出光功率 (@TEC 25 °C, LD 350 mA) (**) | Pout | dBm | 最大值: 12 典型值: 10 | ||
相对强度噪声 (@ 2 GHz, TEC 25 °C, LD 250 mA) | RINLD | dBc/Hz | 最大值: -158 典型值: -160 | ||
电学性能 | 3 dB电光带宽 (2 GHz起) | S21 | GHz | X1: 2 | X1: 4 |
最小值: 18 典型值: 20 | 最小值: 36 典型值: 40 | ||||
射频半波电压 (@ 50 kHz) | Vπ | V | 最大值: 3.5 典型值: 3.0 | ||
热调偏置半波功率 | Pπ | mw | ≤ 50 | ||
推荐TEC 设定温度范围 | TTEC | °C | 10~40 | ||
热敏电阻阻值 (@ 室温) | Rth | Ohm | 10 K±1.0% | ||
射频回损 (2 GHz 至 40 GHz) | S11 | dB | ≤ -10 | ||
工作条件 | 工作温度 (@TEC 40 °C) | TO | °C | -40~70 | |
1、高消光比 (> 25 dB) 可定制。
2、高全开出光功率(> 12 dBm)可定制。
损伤阈值
参数 | 符号 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
射频输入功率 | Sin | - | 18 | dBm |
射频输入摆幅电压 | Vpp | -2.5 | +2.5 | V |
射频输入均方根电压 | Vrms | - | 1.78 | V |
激光器电流 | ILD | - | 400 | mA |
TEC 电流 | ITEC | - | 1.5 | A |
热调偏置电压 | Uheater | - | 4.5 | V |
热调偏置电流 | Iheater | - | 50 | mA |
保存温度 | TS | -40 | 85 | ℃ |
相对湿度 (无凝露) | RH | 5 | 90 | % |
注：若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤，此类器件损伤不在维保服务范围。
管脚定义
引脚 | 符号 | 描述 |
1 | TEC+ | TEC 正极 |
2 | TEC- | TEC 负极 |
3 | LD+ | 激光器正极 |
4 | LD- | 激光器负极 |
5 | MPD2+ | 激光器背光监控PD阳极 |
6 | MPD2- | 激光器背光监控PD阴极 |
7 | Rth | 热敏电阻电极 |
8 | Rth | 热敏电阻电极 |
9 | MPD1- | 调制器出光监控PD阴极 |
10 | MPD0- | 调制器入光监控PD阴极 |
11 | MPD1 & MPD0 + | 调制器出入光监控PD共阳极 |
12 | Heater | 热调偏置电极 |
13 | Heater | 热调偏置电极 |
14 | - | 无定义 |
RF | RF 连接器 (*) | 2.92 mm K连接器 |
Out | 出光光纤 (**) | FC/APC, SMF |
1、可定制1.85 mm连接器或J连接器。
2、可定制保偏光纤。
机械尺寸（单位：mm）
注：带REF.标记的数据仅为参考值。
S21 & S11 测试样图 (40 GHz 典型值)
订购信息 HC - LB-X1CXNPBB61
可选项 | 描述 | 选项编号 |
X1 | 3 dB电光带宽 | 2 或 4 |
产品描述：20 GHz/40 GHz薄膜铌酸锂强度调制器（集成光源）。
