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薄膜铌酸锂强度调制器(集成光源)
产品介绍
薄膜铌酸锂强度调制器(集成光源)是一种高性能高集成度的电光转换器件,由我司自主研发并拥有完整自主知识产权。该产品集成了低噪声DFB激光器和高稳定性薄膜铌酸锂调制器芯片,通过高精度耦合工艺技术封装而成,实现了超高电光转换效率。相比于传统铌酸锂晶体调制器,本产品具有低半波电压、高稳定性、小器件尺寸和热光偏置控制的特性,能广泛应用于数字光通信、微波光子、骨干通信网络及通信类科研项目等领域。
产品特点
集成低RIN激光源
射频宽带高达40 GHz
半波电压低至3.0 V
调制器全开输出光功率可达12 dBm
高集成度、小器件尺寸
机械尺寸
S21 & S11 测试样图 (40 GHz 典型值)
图 1: S21
图 2: S11
激光安全性
本产品为1M类激光产品,需遵循相应使用规则,切勿在放大镜、显微镜和望远镜等光学系统下使用或者直视出光光口。
订购信息 : HC - LB-X1CXNPBB61
可选项 |
描述 |
选项编号 |
X1 |
3 dB电光带宽 |
2 或 4 |
产品描述:20 GHz/40 GHz薄膜铌酸锂强度调制器(集成光源)。
参数 |
符号 |
单位 |
指标 |
||
光学性能 |
工作波长(@TEC 25 °C, LD 350 mA) |
λ |
nm |
1550 ± 2 |
|
光学消光比 (@ DC) (*) |
ER |
dB |
≥ 20 |
||
光学回损 |
ORL |
dB |
≤ -27 |
||
调制器全开出光功率 (@TEC 25 °C, LD 350 mA) (**) |
Pout |
dBm |
最大值: 12 典型值: 10 |
||
相对强度噪声 (@ 2 GHz, TEC 25 °C, LD 250 mA) |
RINLD |
dBc/Hz |
最大值: -158,典型值: -160 |
||
电学性能 |
3 dB电光带宽(2 GHz起) |
S21 |
GHz |
X1: 2 |
X1: 4 |
最小值: 18,典型值: 20 |
最小值: 36,典型值: 40 |
||||
射频半波电压 (@ 50 kHz) |
Vπ |
V |
最大值: 3.5 典型值: 3.0 |
||
热调偏置半波功率 |
Pπ |
mw |
≤ 50 |
||
推荐TEC 设定温度范围 |
TTEC |
°C |
10~40 |
||
热敏电阻阻值 (@ 室温) |
Rth |
Ohm |
10 K±1.0% |
||
射频回损(2 GHz 至 40 GHz) |
S11 |
dB |
≤ -10 |
||
工作条件 |
工作温度 (@TEC 40 °C) |
TO |
°C |
-40~70 |
1、高消光比 (> 25 dB) 可定制。
2、高全开出光功率(> 12 dBm)可定制。
损伤阈值
参数 |
符号 |
最小值 |
最大值 |
单位 |
射频输入功率 |
Sin |
- |
18 |
dBm |
射频输入摆幅电压 |
Vpp |
-2.5 |
+2.5 |
V |
射频输入均方根电压 |
Vrms |
- |
1.78 |
V |
激光器电流 |
ILD |
- |
400 |
mA |
TEC 电流 |
ITEC |
- |
1.5 |
A |
热调偏置电压 |
Uheater |
- |
4.5 |
V |
热调偏置电流 |
Iheater |
- |
50 |
mA |
保存温度 |
TS |
-40 |
85 |
℃ |
相对湿度 (无凝露) |
RH |
5 |
90 |
% |
注:若器件工作超过最大损伤阈值将对器件造成不可逆损伤,此类器件损伤不在维保服务范围。
管脚定义
引脚 |
符号 |
描述 |
1 |
TEC+ |
TEC 正极 |
2 |
TEC- |
TEC 负极 |
3 |
LD+ |
激光器正极 |
4 |
LD- |
激光器负极 |
5 |
MPD2+ |
激光器背光监控PD阳极 |
6 |
MPD2- |
激光器背光监控PD阴极 |
7 |
Rth |
热敏电阻电极 |
8 |
Rth |
热敏电阻电极 |
9 |
MPD1- |
调制器出光监控PD阴极 |
10 |
MPD0- |
调制器入光监控PD阴极 |
11 |
MPD1 & MPD0 + |
调制器出入光监控PD共阳极 |
12 |
Heater |
热调偏置电极 |
13 |
Heater |
热调偏置电极 |
14 |
- |
无定义 |
RF |
RF 连接器 (*) |
2.92 mm K连接器 |
Out |
出光光纤 (**) |
FC/APC, SMF |
1、可定制1.85 mm连接器或J连接器。
2、可定制保偏光纤。